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K0913 一种适用于...驱动电路(技术产业化)

  • 申请人:广东省...技术股份有限公司
  • 发布时间:2025.03.20
  • 技术领域:电气自动化
  • 所属行业:电气电工
  • 是否专利:有专利
  • 专利类型:发明
  • 专利号:CN20241...996.9
  • 技术成熟度:可以量产
  • 是否产业:已产业
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  1. 摘 要


    本发明涉及一种适用于LLC拓扑的开关管驱动电路,该电路包括:双极性驱动电源、变压器、驱动上管电路以及驱动下管电路;驱动上管电路包括第一泄放电路和第二泄放电路;第一泄放电路用于在驱动上管电路的上管驱动电压从正压切换到负压时对电压进行泄放;第二泄放电路用于在驱动上管电路的上管驱动电压从负压切换到正压时对电压进行泄放;驱动下管电路包括第三泄放电路和第四泄放电路;第三泄放电路用于在驱动下管电路的下管驱动电压从正压切换到负压时对电压进行泄放;第四泄放电路用于在驱动下管电路的下管驱动电压从负压切换到正压时对电压进行泄放。本发明通过设置泄放电路能够提高开光管驱动电路切换速度,从而提高驱动信号的完整性。

     

    背景技术


    现有LLC拓扑电路是由两个感抗器件和一个容抗器件组成的,一个是谐振电感Lr,一个变压器(原边感量为Lm)和一个谐振电容Cr,三个器件串联形成谐振腔,因为其谐振特征可以使得LLC拓扑电路开关管工作在ZVS(零电压开通模式)下。
    目前,一般是通过电容和变压器来实现LLC拓扑的开关管驱动信号的隔离,SiMOSFET 零压和负压都可关断,SiC.MOSFET需要负压关断。
    对于LLC拓扑电路,常用的开关管是Si MOSFET,随着SiC MOSFET的普及,开关管损耗降低,效率提高,散热要求也相应降低。目前LLC拓扑电路常见的Si MOSFET驱动实现方案在通过电容和变压器来隔离驱动信号时,原理框图如图1所示。可以看出,现有的 LLC 开关管驱动电路,通过稳压管把负压钳位到零伏,但是其切换速度不够快速,容易导致电路器件的损坏或者信号不完整。

     

     

     

     

     

     

     

     

     

     

     

     

     

     

     

     

     

     

     

     

     

     

     

     

     

     

     

     

     

     

     

     

     

     

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