摘 要

本发明提出了一种碳化硅减薄加工使弯曲度集中的方法，包括如下步骤：步骤1、将衬底片进行双面研磨；步骤2、利用减薄机对研磨后的衬底片进行减薄；步骤3、对减薄后的衬底片进行热处理，还原衬底片的弯曲度，借此，本发明经由研磨后衬底片表面粗糙度数值、减薄时衬底片加工面的选用、减薄后衬底片的表面粗糙度数值，来达到控制衬底片弯曲度更加集中以及统一衬底片形貌为内凹型的效果，具有简化工艺操作，降低工作时长的同时，提高了产品质量的优点。

（图示）

芯片研磨 ⇒ 芯片弯曲度（bow）负值朝上放在减薄机载具中间 ⇒ 开启减薄真空机，吸附固定芯片 ⇒ 进行芯片减薄作业   ⇒进行热处理作业

背景技术

目前，单晶碳化硅由于化学性能稳定、导热系数高、热膨胀系数小和耐磨性能好，并且具有宽禁带宽度大、击穿场强和饱和电子迁移率高等优异性能，被广泛应用于电力电子、射频器件和光电子器件等技术领域。
现有技术中，碳化硅衬底片的弯曲度(bow)规格介于±10之间，由于数值较为发散且由于衬底片弯形貌有凹凸之分，因此对于后段外延，不利于控制批量的成品良率。对于碳化硅切磨抛加工领域而言，此弯曲度数值(bow)已是目前工艺水平所能达到的规格瓶颈。因此，本领域技术人员亟需一种技术可以控制衬底片弯曲度(bow)更加集中以及统一衬底片形貌为内凹型的方法。