MOSFET器件的制作方法、及其器件、设备的制作方法及其设备：目前在SGT/Trench mos产品，因垂直器件的沟槽存在，在填充多晶硅时，

因Trench沟槽的存在，导致在多晶硅形成时，因多晶硅形成的方式，导致一定会在Trench顶部以下形成缝隙(Seam)，此缝隙会在多晶硅刻蚀时被放大，从而影响器件性能。

为了保证多晶硅的填充效果，通常会将器件的沟槽角度控制在小于89 度，因此工艺影响，导致Trench角度无法做的过直，致使在非直角的沟槽填充中，底部多晶硅的宽度较小，在涉及横向二维电荷耦合器件中，使得器件的电荷耦合能力下降。而对器件性能有进一步影响。因而，特征尺寸缩小成为难题，因而，开发一种制作平坦形貌的多晶硅，成为本领域技术人员亟待要解决的技术重点。