摘 要

本发明一种F-β-Ga2O3/CuGaO2紫外光电探测器及其制备方法，属于光探测器技术领域，具体涉及一种F?β?Ga2O3/CuGaO2紫外光电探测器及其制备方法，该制备方法的步骤包括：先用乙酸铜、硝酸镓和NaOH反应制得CuGaO2纳米片，然后以硝酸镓为Ga源，辅以NaF分别制备负载在CuGaO2纳米片上的F?β?Ga2O3/CuGaO2和纯的F?β?Ga2O3；然后将两张材料先后涂在叉指电极上并用热蒸发在薄膜上制备Au电极，得到F?β?Ga2O3/CuGaO2紫外光电探测器。本发明所述紫外光电探测器具备高的的光敏度和响应度，探测器响应速度快。

背景技术

太阳光可以分为三个波段，紫外区、可见区，红外区；小于400nm波段的波段为紫外波段。除了在航空航天及军事领域，如太空中的辐射探测等对紫外探测技术有一定的要求外；在民用领域，由于紫外辐射会对人体内的维生素合成、紫外致癌等产生影响，也对紫外探测有一定的需求。

光电探测器是一种通过光电信号转变而实现感知探测的重要光电器件，光电探测主要通过以下步骤完成检测：首先在外界光辐射的情况下探测器产生光生载流子，然后光生载流子通过扩散和漂移的形式在半导体内部进行输运和倍增，最后光生载流子形成的光电流被两端电极收集，从而实现了对外界光辐射的检测。

传统上，紫外光的检测方式主要有光电倍增管、热探测器和窄带隙半导体光电二极管。光电倍增管虽然是对紫外光子十分敏感，但是它不仅体积和重量大，并且需要很高的工作电压；热探测器虽然检测效果较好，但是响应速度慢，且不具备波长选择性；窄带隙半导体光电二极管的带隙小，需要额外阻挡可见光和红外光子，进而导致系统的有效面积显著损失。因此制备具有高的响应度、量子效率、响应速度以及信噪比的紫外光电探测器十分必要。