摘 要

本发明提供了一种外延生长方法及外延晶圆，属于半导体制造技术领域。外延生长方法，应用于外延生长设备，所述外延生长设备包括装载端口、负载锁定单元、用以传送晶圆的传输腔室和与所述传输腔室连通的工艺反应腔室，所述外延生长方法包括：在将所述晶圆从所述装载端口传输至所述负载锁定单元时，控制所述负载锁定单元进行抽真空并回填氮气，且所述负载锁定单元的快速排气口限流阀与慢速排气口限流阀的压力保持一致；在将所述晶圆从所述传输腔室传送至所述工艺反应腔室的过程中，控制所述传输腔室的压力大于所述工艺反应腔室的压力。本发明的技术方案能够减少外延晶圆表面的颗粒。

背景技术

外延生长是指在单晶硅衬底上，通过外延(Epitaxy)技术生长一层单晶薄膜(晶向与衬底晶向一致)的工艺过程。外延片的整个生产流程包括长晶(多晶硅料拉制硅晶棒)→成型(切片研磨)→抛光(双面抛光)→清洗(去除表面微粒、金属离子和有机物)→外延(气相沉积)五大工序，其中外延作为最后一道重要工序，可以改善晶圆的晶体性质、原生缺陷、电阻率以及平坦度等。

随着半导体行业的高速发展，对外延晶圆表面的颗粒品质要求也越来越高，相关技术中，外延晶圆表面颗粒比较多，会导致外延缺陷，影响产品良率。